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第一代半导体资料首要是指硅（Si）、锗（Ge）这类半导体资料，首要鼓起于二十世纪五十年代，其鼓起也带动了以集成电路为中心的微电子工业的加速速度进行开展，并被广泛的使用于消费电子、通讯、光伏、军事以及航空航天等多个范畴。
第二代半导体资料是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）为主的化合物半导体，其首要被用于制造高频、高速以及大功率电子器材，在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等范畴有比较广泛的使用。
第三代半导体资料包含了以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体。比较于第一代及第二代半导体资料，第三代半导体资料在耐高温、耐高压、高频作业，以及接受大电流等多个视点具有显着的优势，因此更适合于制造高温、高频、抗辐射及大功率器材，在电力电子器材、微波射频等范畴的使用优势更为显着。
GaN作为第三代半导体资料的代表，在电源办理、功率输出方面有着十分显着的技术优势。在 650伏特左右电压下，其在芯片面积、电路功率和开关频率方面显着优于硅，这使电源产品更为轻浮、高效。而且GaN 充电器体积小、功率高、发热量小，有望在未来一致快充充电器商场，估计在2024 年 GaN 电源商场规模将超越 3.5 亿美元，CAGR达 85％，未来商场开展的潜力宽广。
一起国家关于第三代半导体工业高质量开展供给了继续不断的方针方面的支撑，2016年，国务院推出了《国务院关于印发“十三五”国家科学技术创新规划的告诉》，其间初次说到要加速第三代半导体芯片技术与器材的研制；2019 年 6 月商务部及发改委在鼓舞外商投资名单中增加了支撑引入 SiC 超细粉体外商企业；2019年 11 月工信部印发《要点新资料首批次使用演示辅导目录》，其间 GaN 单晶衬底、功率器材用 GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 单晶衬底等第三代半导体产品进入目录；2019 年 12 月国务院在《长江三角洲区域—体化开展规划大纲》中明确要求加速培养布局第三代半导体工业，推进第三代半导体工业高质量开展。
年代速信在此布景下形成了以碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓为中心的产品布局，并成功地推出了SiC-GaN射频芯片和Si-GaN电力电子功率器材，推进GaN商场开展。
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